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2016 年度 研究成果報告書

光学的核スピンエンジニアリングと局在スピン操作

研究課題

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研究課題/領域番号 25247047
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 物性Ⅰ
研究機関北海道大学

研究代表者

足立 智  北海道大学, 工学研究院, 教授 (10221722)

研究期間 (年度) 2013-05-31 – 2017-03-31
キーワード量子ドット / 核スピン / キャリアスピン / 核磁場制御
研究成果の概要

研究成果の概要(和文):本研究では,単一量子ナノ構造での光注入局在スピンのリザーバである核スピン集団の分極率や分極方向等を制御する核スピンエンジニアリングを確立し,局在スピン操作に積極的に利用することを目的としている.特に以下に示すこれまでに報告例のない新たな成果を得た.
発光スペクトルの直交偏光成分の同時検出系を構築し,InAlAs自己集合量子ドットにおいて,零磁場下で0.8 Tもの核磁場が形成されることを見出し,電子スピンが作る有効磁場とそれにより形成される核磁場との関係を明らかにした.また歪による核四極子磁場が結晶成長方向から傾いている場合,核スピン緩和の機構になることを実証した.

自由記述の分野

半導体スピン物性

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公開日: 2018-03-22  

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