| 研究課題/領域番号 |
25247051
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
勝本 信吾 東京大学, 物性研究所, 教授 (10185829)
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| 研究分担者 |
橋本 義昭 東京大学, 物性研究所, その他 (20396922)
中村 壮智 東京大学, 物性研究所, 助教 (50636503)
陽 完治 北海道大学, 学内共同利用施設等, 教授 (60220539)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | スピントロニクス / 超伝導トランジスタ / 希薄磁性半導体 / 超伝導近接効果 |
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| 研究成果の概要 |
近接効果により２次元電子系内に生じた超伝導電流を，スピンホール効果によってスイッチすることに成功した．また，このような超伝導接合が，トラップ磁束によって0接合からπ接合へと変化する現象を見出した．希薄磁性半導体(In,Fe)Asを近接効果で超電導状態にし，これがスピン３重項超伝導である可能性が高いことを見出した．
スピン軌道相互作用が強い系の量子点接合で強いスピン偏極が起こることを検証し，特に単伝導度量子プラトーでの偏極を初めて検証した．
この技術を用いてスピン軌道相互作用が強い系に，スピン偏極した電子を注入することで，相対論的電子に特徴的なZitterbewegung現象を検証した．
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| 自由記述の分野 |
量子物性物理学
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