| 研究課題/領域番号 |
25249034
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
亀井 一人 名古屋大学, 未来社会創造機構, 招へい教員 (10527576)
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| 研究分担者 |
原田 俊太 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (30612460)
宇治原 徹 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60312641)
加藤 正史 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80362317)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 結晶成長 / ドーピング |
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| 研究成果の概要 |
SiCは次世代パワーデバイス用材料として期待されている。パワーデバイスの低損失化においては、半導体材料の低抵抗化は不可欠であり、ドーピング濃度を高くする必要がある。SiCでは窒素やアルミニウムをドーパントとして用いるが、ドーピング濃度を高くすると積層欠陥が導入されてしまう.本研究では、高品質結晶成長として有用な溶液成長法において、ドーパント濃度の制御法を確立しつつ、積層欠陥抑制の条件取得を行った。その結果、ドーピング濃度の閾値を明らかにし、さらには、ドーパント取り込みメカニズムも明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
結晶工学
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