低欠陥ダイヤモンドウェハ

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 25249036
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 関西学院大学 (2015); 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 鹿田 真一 関西学院大学, 理工学部, 教授 (00415689)
• 研究分担者: 峠 睦 熊本大学, 先進マグネシウム国際研究センター, 教授 (00107731) ; 茶谷原 昭義 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクスセンター, 上級主任研究員 (10357501) ; 杢野 由明 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクスセンター, チーム長 (60358166) ; 梅沢 仁 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクスセンター, 主任研究員 (80329135) ; 加藤 有香子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクスセンター, 主任研究員 (90509837)
• 研究期間 (年度): 2013-05-31 – 2016-03-31
• キーワード: 省エネルギー / パワーデバイス / ダイヤモンド

研究成果の概要

105cm-2以上の欠陥を有するHPHTダイヤモンド結晶の低欠陥部分を切出して、種にして再成長し、概ね2,000cm-2以下の結晶が得られるようになった。この結晶を種に用い、CVDを用いたダイレクトウェハ化法により子結晶を得ることが出来、2.4mm角の限定領域ではあるが欠陥数400cm-2という驚異的な低欠陥とΔn=2x10-5以下と極めて低い複屈折を示す高品質低歪結晶基板を得ることに成功した。表面処理としてドライエッチング導入に伴う表面荒れの抑制やUVアシストによるファイン研磨技術も併せて開発できた。本研究によりパワーデバイスに必要な低欠陥ウェハを実現するための基盤技術が確立できた。

自由記述の分野

結晶工学