| 研究課題/領域番号 |
25249053
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
青柳 克信 立命館大学, 総合科学技術研究機構, 上席研究員 (70087469)
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| 研究分担者 |
黒瀬 範子 立命館大学, 総合科学技術研究機構, 研究員 (50520540)
神谷 格 豊田工業大学, 工学(系)研究科, 教授 (10374018)
神子 直之 立命館大学, 理工学部, 教授 (70251345)
荒木 努 立命館大学, 理工学部, 教授 (20312126)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 深紫外発光素子 / MIPE / 大面積発光素子 / 高出力発光素子 / Si基板 / LED / マイクロプラズマ / AlGaN |
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| 研究成果の概要 |
マイクロプラズマ励起深紫外発光素子（MIPE）の大面積化、高出力化、短波長化を目指した。本研究により、新たに着火レデイ方式MIPEを開発し、安定なMIPE発光を得た。またAlGaNばかりでなく、MgO等の酸化物からのMIPE 発光に成功し190nm～250nm発光領域での深紫外MIPE発光に成功した。その技術を用い20cmｘ10cmの無支柱大面積MIPEセルを開発した。これは世界最大級の大面積深紫外発光素子である。このセルより、MgO発光体をもちい242nmで約１Wの発光強度が得られた。このセルを8枚並べることにより本研究の目的とする10WクラスのMIPEが実現できることが実証できた。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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