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2016 年度 研究成果報告書

磁性原子3D中距離局所構造解析による室温強磁性半導体の機能発現の研究

研究課題

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研究課題/領域番号 25286040
研究種目

基盤研究(B)

配分区分一部基金
応募区分一般
研究分野 応用物性
研究機関名古屋工業大学 (2016)
東北大学 (2013-2015)

研究代表者

林 好一  名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20283632)

研究分担者 細川 伸也  熊本大学, 自然科学研究科, 教授 (30183601)
田中 義人  兵庫県立大学, その他の研究科, 教授 (80260222)
連携研究者 福村 知昭  東北大学, 大学院理学研究科, 教授 (90333880)
内富 直隆  長岡技術科学大学, 大学院工学研究科, 教授 (20313562)
赤木 和人  東北大学, WPI, 准教授 (50313119)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2017-03-31
キーワード蛍光X線ホログラフィー / 強磁性半導体 / 局所構造
研究成果の概要

強磁性半導体であるCo:TiO2薄膜、Mn:ZnSnAs2薄膜及びGeMnTe薄膜に対し、磁性元素に着目した蛍光X線ホログラムの測定を行った。Co:TiO2についてはCo周辺にサブオキサイドと呼ばれる特異なクラスターが形成されていることが分かった。次に、Mn:ZnSnAs2については、その母材料のZnSnAs2がディスオーダー相であるスファレライト構造であり、かつ、As副格子が大きく乱れていることが分かった。また、GeMnTeについては、Ge周辺は菱面体構造であるGeTeの構造が反映されており対称性が低く、一方、Mn周辺の構造の対称性が高いことが分かった。

自由記述の分野

X線物理

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公開日: 2018-03-22  

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