| 研究課題/領域番号 |
25286048
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
石谷 善博 千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60291481)
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| 研究分担者 |
篠塚 雄三 和歌山大学, システム工学部, 教授 (30144918)
矢口 裕之 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (50239737)
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| 連携研究者 |
森田 健 千葉大学, 大学院工学研究科, 准教授 (30448344)
馬 ベイ 千葉大学, 大学院工学研究科, 助教 (90718420)
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| 研究協力者 |
大木 健輔 千葉大学, 工学部, 技術補佐員
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | フォノンエンジニアリング / 励起子 / 結晶欠陥 / 窒化物半導体 / 光物性 |
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| 研究成果の概要 |
半導体素子特性を決める多くの過程にフォノンが関わっている。太陽電池のエネルギー変換効率，励起子の生成・解離，非輻射性キャリア再結合などがこれにあたる。熱平衡状態の詳細な電子・正孔‐励起子系の研究があるが，フォノン系，電子系，輻射場を全て含んだ非熱平衡過程の解析は進んでいない。本研究では，材料物性，素子構造等に基づく素子中のキャリア密度，格子温度などを変数にとり，種々の素過程を統合した電子・正孔や励起子の励起・脱励起の流れを初めて特徴づけることを行った。特に励起子の安定性，非輻射性再結合やキャリアトラップの原因となる深い準位への遷移過程に対するフォノン局在性の影響について新たな知見を得た。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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