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Si上の格子整合系III-V-N混晶レーザ実現を目指し、GaAsN活性層およびクラッド層の高品質化と電気的特性の制御について検討を行った。
GaAsN活性層成長に表面窒化と埋め戻し成長を繰り返す表面窒化法を適用し、550～600℃の高温成長に於いてもN取り込み効率の維持が可能で、窒化時に(1×4)超構造を維持することで、組成均一性が高く非輻射再結合中心濃度が大幅に低減できることを示した。
クラッド層としては、As2及びP2をV族原料として用い、V/III比が4以下、基板温度550℃以上とすることで、構造欠陥、組成揺らぎの無い高品質GaAsPNが得られる事、SおよびMgの有効性を示した。
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