ミスト成長法による機能性単結晶酸化物薄膜の創成

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 25286050
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 藤田 静雄 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20135536)
• 連携研究者: 川原村 敏幸 高知工科大学, 総合研究所, 准教授 (00512021)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31

研究成果

• [産業財産権] p型酸化物半導体及びその製造方法(P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME) (2021)
  • 発明者名: 藤田 静雄, 金子 健太郎, 織田 真也, 人羅 俊実
  • 権利者名: 京都大学 (株)FLOSFIA
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: US11087977B2
• [産業財産権] 半導体膜の製造方法及び半導体膜並びにドーピング用錯化合物及びドーピング方法 (2021)
  • 発明者名: 藤田 静雄, 内田 貴之, 金子 健太郎, 織田 真也, 人羅 俊実
  • 権利者名: (株)FLOSFIA 京都大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 第6951715号
  • 外国
• [産業財産権] 深紫外線発光素子及びその製造方法 (2016)
  • 発明者名: 藤田 静雄, 津村 圭一, 内田 貴之, 神野 莉衣奈, 金子 健太郎, 人羅 俊実
  • 権利者名: 京都大学, (株)FLOSFIA
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2016-094950
  • 出願年月日: 2016-05-10
• [産業財産権] p型酸化物半導体及びその製造方法 (2016)
  • 発明者名: 藤田 静雄, 金子 健太郎, 人羅 俊実
  • 権利者名: 京都大学, (株)FLOSFIA
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2016-170330
  • 出願年月日: 2016-08-31
• [産業財産権] 半導体膜の製造方法及び半導体膜 (2016)
  • 発明者名: 藤田 静雄, 内田 貴之, 金子 健太郎, 人羅 俊実, 織田 真也
  • 権利者名: 京都大学, (株)FLOSFIA
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2016-181044
  • 出願年月日: 2016-09-15
• [産業財産権] ドーピング用錯化合物及びドーピング方法 (2016)
  • 発明者名: 藤田 静雄, 内田 貴之, 金子 健太郎, 人羅 俊実, 織田 真也
  • 権利者名: 京都大学, (株)FLOSFIA
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2016-181045
  • 出願年月日: 2016-09-15
• [産業財産権] 結晶性ZrO2膜の製造方法および結晶性ZrO2膜 (2016)
  • 発明者名: 藤田 静雄, 金子 健太郎, 佐々木 貴博, 人羅 俊実
  • 権利者名: 京都大学, (株)FLOSFIA
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2016-216766
  • 出願年月日: 2016-11-04