|
「単結晶」酸化物半導体の薄膜および多層構造により、デバイス応用につながる新しい光・電子・磁気融合機能を創成することを目的とした。豊富な資源に支えられた元素を用い、成長に「ミストCVD法」を用いることにより、成長から廃棄までのプロセスで安全・安心・省エネルギーを達成し、地球環境に優しい半導体技術として寄与することを目指した。バンドギャップエンジニアリングと機能エンジニアリングにより、混晶化による新たな相互作用が発現し、コランダム構造酸化ガリウムを基盤とするワイドギャップ半導体系、室温以上のキュリー温度を持つ強磁性半導体など、今後の新しい原理に基づくデバイス応用につながる材料開発を実証した。
|
