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2015 年度 実績報告書

多波長量子ドット成長による超広帯域SLD光源開発と医療OCTへの応用

研究課題

研究課題/領域番号 25286052
研究機関和歌山大学

研究代表者

尾崎 信彦  和歌山大学, システム工学部, 准教授 (30344873)

研究分担者 杉本 喜正  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, 主席研究員 (60415784)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード量子ドット / 分子線エピタキシー(MBE) / 近赤外広帯域光源 / スーパールミネッセントダイオード(SLD) / 光コヒーレンストモグラフィー(OCT)
研究実績の概要

医療用断層イメージング技術である光コヒーレンストモグラフィー(OCT)の高分解能、低ノイズ化に寄与する光源開発を目的とし、半導体ナノ結晶材料である自己組織化InAs量子ドット(QD)を用いて近赤外広帯域光源の開発を行った。GaAs基板上に自己組織的に成長するInAs-QDは、近赤外波長領域(1.2~1.3 um)においてサイズ分布により広帯域な発光を示すことが知られる。我々はこのInAs-QD群からの広帯域な発光中心波長を制御する技術を開発してきており、この技術を活用して、複数の中心波長を有するQD群を融合し、生体透過性の高い1~1.3 um帯での超広帯域な電流注入型光源デバイス(SLD光源)の開発に成功した。平成27年度は、計画最終年度にあたり、InAs-QDベースSLD光源(QD-SLD)のデバイス設計改良による更なる高帯域化と、OCT導入による分解能向上の実証に成功した[J. Appl. Phys. 119, 083107 (2016)]。具体的には、QD-SLDに対し分割電極を導入することでQDの高次準位間発光を誘起してさらなる広帯域化を実現し、利得特性評価によって160nm以上の利得帯域を確認した。このQD-SLDを、我々が自ら立ち上げたSpectral-domain (SD) 方式のOCTに導入し、テストサンプルのOCT画像取得および光軸分解能評価を行った結果、分解能4um以下が得られ、平成26年度までに得られた分解能(約8um)をさらに2倍近く向上させることに成功した。これらの成果により、当初計画通りに多波長QDを用いた超広帯域光源の開発に成功し、この光源をOCTに導入することで既存光源よりも高分解能かつ低ノイズな断層画像取得が可能であることを実証するに至った。

現在までの達成度 (段落)

27年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

27年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額が生じた理由

27年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額の使用計画

27年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (16件)

すべて 2016 2015 その他

すべて 国際共同研究 (1件) 雑誌論文 (5件) (うち国際共著 5件、 査読あり 3件、 謝辞記載あり 5件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (8件) (うち国際学会 3件、 招待講演 1件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [国際共同研究] University of Sheffield/University of Glasgow(英国)

    • 国名
      英国
    • 外国機関名
      University of Sheffield/University of Glasgow
  • [雑誌論文] Superluminescent diode with a broadband gain based on self-assembled InAs quantum dots and segmented contacts for an optical coherence tomography light source2016

    • 著者名/発表者名
      Nobuhiko Ozaki, David T. D. Childs, Jayanta Sarma, Timothy S. Roberts, Takuma Yasuda, Hiroshi Shibata, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, and Richard A. Hogg
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 119 ページ: 083107 1-7

    • DOI

      10.1063/1.4942640

    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Electrically driven near-infrared light source with Gaussian-like broadband spectral shape by using multiple self-assembled InAs quantum dots with controlled emission wavelengths2016

    • 著者名/発表者名
      Takuma Yasuda, Nobuhiko Ozaki, Hiroshi Shibata, Shunsuke Ohkouchi, Naoki Ikeda, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Yoshimasa Sugimoto, and Richard A. Hogg
    • 雑誌名

      IEICE Trans. Electron.

      巻: E99-C ページ: 381-384

    • DOI

      10.1587/transele.E99.C.381

    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Optical characterization of In-flushed InAs/GaAs quantum dots emitting a broadband spectrum with multiple peaks at ~1um2015

    • 著者名/発表者名
      Shigehiro Kitamura, Masaya Senshu, Toshio Katsuyama, Yuji Hino, Nobuhiko Ozaki, Shunsuke Ohkouchi, Yoshimasa Sugimoto, and Richard A. Hogg
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Letters

      巻: 10 ページ: 231 1-6

    • DOI

      10.1186/s11671-015-0941-0

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Broadband Gain Superluminescent Diode Based on Self-assembled InAs Quantum Dots with Segmented Contacts2015

    • 著者名/発表者名
      Nobuhiko Ozaki, Takuma Yasuda, Hiroshi Shibata, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, Yoshimsa Sugimoto, David T. D. Childs, and Richard A. Hogg
    • 雑誌名

      Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)

      巻: N/A ページ: 234-235

    • 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] OCT光源応用を目指した自己組織化InAs量子ドットベース近赤外広帯域光源2015

    • 著者名/発表者名
      尾崎信彦、保田拓磨、柴田 弘、大河内俊介、渡辺英一郎、大里啓孝、池田直樹、杉本喜正、Richard Hogg
    • 雑誌名

      信学技報 (IEICE Technical Report)

      巻: 115 ページ: 25-28

    • 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [学会発表] Emission wavelength variation of InAs quantum dots grown on GaAs using As2 molecules in molecular beam epitaxy2016

    • 著者名/発表者名
      Yuma Hayashi, Nobuhiko Ozaki, Shunsuke Ohkouchi, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, and Yoshimasa Sugimoto
    • 学会等名
      The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2016)
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-27
    • 国際学会
  • [学会発表] As2分子線を用いて成長したInAs-QDによる電流注入型広帯域光源2016

    • 著者名/発表者名
      林 佑真, 尾崎 信彦, 大河内 俊介, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 池田 直樹, 杉本 喜正
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス
    • 年月日
      2016-03-20
  • [学会発表] As2/As4分子線によるInAs/GaAs量子ドット成長と光学特性の変化2015

    • 著者名/発表者名
      林 佑真, 尾崎 信彦, 大河内 俊介, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 池田 直樹, 杉本 喜正
    • 学会等名
      日本材料学会半導体エレクトロニクス部門平成27年度第2回研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス
    • 年月日
      2015-11-21
  • [学会発表] Broadband Gain Superluminescent Diode Based on Self-assembled InAs Quantum Dots with Segmented Contacts2015

    • 著者名/発表者名
      N. Ozaki, T. Yasuda, H. Shibata, H. Ohsato, E. Watanabe, N. Ikeda, Y. Sugimoto, D. T. D. Childs, and R. A. Hogg
    • 学会等名
      2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2015-09-29
    • 国際学会
  • [学会発表] 分割電極を用いた広帯域多波長InAs量子ドットSLDの光学利得測定2015

    • 著者名/発表者名
      尾崎 信彦, David Childs, 保田拓磨, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 池田 直樹, 杉本 喜正, Richard Hogg
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-16
  • [学会発表] As2分子線を用いたInAs-QD成長と1.05μm帯広帯域光源応用の検討2015

    • 著者名/発表者名
      林 佑真, 尾崎 信彦, 大河内 俊介, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 池田 直樹, 杉本 喜正
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場
    • 年月日
      2015-09-13
  • [学会発表] Optical coherence tomography using a low-coherence light source based on emission-wavelength-controlled self-assembled InAs quantum dots2015

    • 著者名/発表者名
      Nobuhiko Ozaki, Hiroshi Shibata, Takuma Yasuda, Hirotaka Ohosato, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Kenji Furuki, Kunio Miyaji, Shunsuke Ohkouchi, Richard A. Hogg
    • 学会等名
      5th Int. Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 発表場所
      Hsinchu, Taiwan
    • 年月日
      2015-09-09
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] OCT光源応用を目指した自己組織化InAs量子ドットベース近赤外広帯域光源2015

    • 著者名/発表者名
      尾崎 信彦, 保田 拓磨, 柴田 弘, 大河内 俊介, 渡辺 英一郎, 大里 啓孝, 池田 直樹, 杉本 喜正, Richard Hogg
    • 学会等名
      電子情報通信学会LQE研究会
    • 発表場所
      金沢能楽美術館
    • 年月日
      2015-05-21
  • [備考] 和歌山大学システム工学部精密物質学科光機能・ナノ材料Gr.(尾崎研究室)

    • URL

      http://www.wakayama-u.ac.jp/~ozaki/index.html

  • [産業財産権] 量子ドットの製造方法及び量子ドット2015

    • 発明者名
      大河内俊介、尾崎信彦、林 佑真
    • 権利者名
      日本電気株式会社、国立大学法人和歌山大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2015-167889
    • 出願年月日
      2015-08-27

URL: 

公開日: 2017-01-06  

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