| 研究課題/領域番号 |
25286054
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
藤ノ木 享英 (梅田享英) 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (10361354)
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| 研究分担者 |
小杉 亮治 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 (10356991)
岡本 光央 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 主任研究員 (60450665)
原田 信介 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究チーム長 (20392649)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | パワーエレクトロニクス / 4H-SiC / MOSFET / 界面準位 / 電子スピン共鳴分光 / チャネル移動度 / 閾値変動 |
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| 研究成果の概要 |
次世代パワーエレクトロニクス用の炭化ケイ素（4H-SiC）MOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）の高性能化のために、4H-SiC/SiO2界面構造中の欠陥や不純物を原子レベルで調査した。方法は、SiC-MOSFET内部を直接観察することのできる電流検出型ESR（電子スピン共鳴）分光法を主に用いた。実用化に適していると考えられるSi面SiC-MOSFETでは窒素やリンのドーピングがチャネル移動度向上に大きく寄与していることを明らかにした。C面SiC-MOSFETではSi面とは全く異なる界面欠陥（C面固有欠陥と命名）がトランジスタの負の閾値変動に大きく寄与していることが明らかになった。
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| 自由記述の分野 |
半導体物性
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