| 研究課題/領域番号 |
25286056
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
須崎 友文 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (20332265)
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| 研究分担者 |
柳 博 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (30361794)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 仕事関数 / 表面 / 界面 / 電子デバイス / 酸化物エレクトロニクス / 荷電欠陥 / 薄膜成長 |
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| 研究成果の概要 |
低仕事関数実現は、電子エミッター開発、またデバイス内における電子注入電極開発のために重要である。本課題では、安定な酸化物、窒化物の積層構造を工夫することで仕事関数を大幅に制御し、きわめて低い仕事関数を実現することを目指した。特に代表的なワイドギャップ酸化物である酸化マグネシウムの薄膜に荷電欠陥を導入することで、化学的に安定であるオール酸化物構造において 2 eV というきわめて低い仕事関数を実現した。
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| 自由記述の分野 |
固体物理学
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