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2014 年度 実績報告書

ナノスケール強相関電子相ドメインの相転移・動的・空間配列トータル制御

研究課題

研究課題/領域番号 25286058
研究機関大阪大学

研究代表者

神吉 輝夫  大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (40448014)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード酸化物エレクトロニクス
研究実績の概要

ナノスケール電子相ドメインの「相転移」、「動的移動」、「空間配置」のトータル制御方法を確立するために、本年度では、下記の実験を行った。
1)強相関酸化物ナノワイヤー素子のナノ物性計測:全年度作製に成功したVO2ナノワイヤーに対して、原子間力顕微鏡(AFM) を用いて、電気伝導測定(C-AFM)、及び仕事関数測定(KFM)を行った。VO2の金属状態と絶縁体状態との仕事関数差を測定することができた。C-AFMによる電気伝導測定においても、金属-絶縁体の電気抵抗差を測定することができた。C-AFMでは、凡そ10nmの空間分解能で測定することが出来た。
2)ナノドメインの相転移・動的制御:VO2ナノワイヤーへ電流を印加し金属-絶縁体電子相界面のペルチェ係数差を利用した吸熱・発熱によりナノドメインの相転移制御を試みた。熱量収支の簡単なモデル計算から相転移に必要な電流密度を計算し、実際に理論見積りした辺りの電流を流したところ、金属から絶縁体、絶縁体から金属への可逆相転移を確認した。しかしながら、変化しない場合も多いため、ナノワイヤー幅、デバイス形状等の工夫により、制御性を上げる必要がある。
3)サイドゲート型ナノワイヤー電界効果トランジスタ(FET)動作の物理モデル構築:前年度に引き続き、サイドゲート型VO2ナノワイヤーFET において、大気中で電界を印加しチャネル抵抗を測定と評価を行った。電気化学反応により吸着水の電気分解された水素イオンがVO2チャネル内に添加され大きく電気伝導特性が変化するが、その理論構築に当たり、電界を考慮した拡散方程式と非定常状態を考慮したフィックの第二法則を取り入れることによって、精密に拡散の時空間変化を追うことが出来、電気伝導特性変化と良い一致を見ることが出来た。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

平成26年度の研究計画で挙げた3つの項目(①強相関酸化物ナノワイヤー素子の物性測定、②ナノドメインの相転移・動的制御、③サイドゲート型ナノワイヤー電界効果トランジスタ作製と物理モデル構築)に関して、項目①において、C-AFMを用いて10nmクラスの空間分解能で、電気伝導測定ができるため、ナノドメインの挙動観察に必須な測定手法を計画通り構築できた。項目②に関しては、金属-絶縁体ドメイン界面において、ペルチェ効果による吸熱・発熱効果を取り入れた計算を行い相転移に必要な電流値を算定し、実験値と良い一致を示し、ペルチェ効果が相転移制御に有効であることが示唆される結果を得た。また、項目③においては、サイドゲート型FETにおいて、大気中の吸着水分子の酸化還元反応によるVO2ナノチャネルへの水素イオンドープとその拡散について、詳細な理論モデルを構築することが出来、酸化還元反応を利用したナノFETデバイスという新たな領域を切り開くことが出来た。

今後の研究の推進方策

今後の推進方策として、前年度に行ってきた実験結果を系統的に理解し、電子相転移の制御性を向上させていく。特に電界効果により個々のナノドメインの相転移制御を目指したナノデバイスの構築と特性評価に重点を置いて研究を行う。
①VO2ナノワイヤー電界効果トランジスタ(FET)の構築:前年度までに構築してきたサイドゲート型VO2ナノワイヤーチャネルFETと共に、縦型固体ゲートFETも作製し、電界によるナノドメインの相転移制御に最適なデバイス構造を得る。
②FET動作の評価:電界効果によって引き起こされる電荷蓄積によって“電子雪崩相転移”を計測し、ゲート電界に応じた電荷蓄積量と空間的な相転移規模を系統的に調べる。また、ナノワイヤーに一次元的に閉じ込められ整列したナノドメインに対して電界効果により相転移制御を行うことによって、金属-絶縁体一次元配列分布を自在に変えれるような制御技術を確立する。サイド―ゲート型FETに関しては、ナノ空間の相転移の拡がりをレーザーラマン顕微鏡、或いはC-AFMを用いて調べる予定である。
③FET動作の物理モデル構築:電界効果によって相転移したナノ電子相が系全体に与える影響を電子相配列の変化等から調べ、温度・時間の系統的変化から電子相同士の相互作用についての知見を得る。
本研究によって、電子相ナノ部制のトータル物理モデルを構築し、ナノドメインの相転移制御方法の確立を行う。

次年度使用額が生じた理由

特に物品費において、当初の見込み額と執行額が異なった。研究を進めていく上で必要に応じて研究費を執行したため。

次年度使用額の使用計画

研究計画に変更はなく、前年度の研究費も含め、当初予定通りの計画を進めていく。

  • 研究成果

    (14件)

すべて 2015 2014

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (13件) (うち招待講演 4件)

  • [雑誌論文] Formation mechanism of a microscale domain and effect on transport properties in strained VO2 thin films on TiO2(001)2014

    • 著者名/発表者名
      K. Kawatani, T. Kanki and H. Tanaka
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 90 ページ: 054203(1-5)

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.90.054203

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] サイドゲート型トランジスタを用いた電界効果によるVO2ナノワイヤへの水素イオンドープと拡散の時空間解析2015

    • 著者名/発表者名
      佐々木 翼、神吉 輝夫、田中 秀和
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚市
    • 年月日
      2015-03-13
  • [学会発表] リン酸を用いたMgO基板の結晶異方性エッチング2015

    • 著者名/発表者名
      山崎 翔太、神吉 輝夫、L. Pellegrino, N. Manca, D. Marre,田中 秀和
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学、平塚市
    • 年月日
      2015-03-13
  • [学会発表] Designing Transport Characteristics by Manipulating Metal-Insulator Domains through Oxide Nanostructures2014

    • 著者名/発表者名
      Teruo Kanki and Hidekazu Tanaka
    • 学会等名
      The 18th SANKEN International Symposium
    • 発表場所
      コングレコンベンションセンター、大阪市
    • 年月日
      2014-12-10
    • 招待講演
  • [学会発表] Tunable Electrochemical Doping into VO2 Nanowires using Planer-type Field Effect Transistor2014

    • 著者名/発表者名
      Teruo Kanki, Tsubasa Sasaki and Hidekazu Tanaka
    • 学会等名
      2014 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, MA、U.S.A
    • 年月日
      2014-12-03
  • [学会発表] Reversible Contral of Metal-Insulator Transition by the Local Peltier effect in VO2 Nanowires2014

    • 著者名/発表者名
      Teruo Kanki, Hidefumi Takami and Hidekazu Tanaka
    • 学会等名
      2014 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Boston, MA、U.S.A
    • 年月日
      2014-12-02
  • [学会発表] Memristive metal-insulator switches in correlated electron oxide nanowires using electric field-induced redox reaction2014

    • 著者名/発表者名
      Teruo Kanki
    • 学会等名
      4th International Conference on Nanotek & Expo
    • 発表場所
      San Francisco, CA
    • 年月日
      2014-12-01
    • 招待講演
  • [学会発表] Low Power Operation of Metal-Insulator Transition in Oxide Nano-Structures2014

    • 著者名/発表者名
      Teruo Kanki and Hidekazu Tanaka
    • 学会等名
      The 1st International Symposium on Interactive Materials Science Cadet Program
    • 発表場所
      阪急エキスポパークホテル、吹田市
    • 年月日
      2014-11-18
  • [学会発表] サイドゲート型VO2ナノワイヤ電界効果トランジスタによるイオンドーピング電気伝導率変調の向上と拡散長評価2014

    • 著者名/発表者名
      佐々木 翼、神吉 輝夫、田中 秀和
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-19
  • [学会発表] VO2ナノ細線を用いた局所ペルチェ効果による可逆金属-絶縁体相転移制御2014

    • 著者名/発表者名
      神吉 輝夫、高見 英史、田中 秀和
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-19
  • [学会発表] 走査型プローブ顕微鏡を用いた極小VO2ナノ細線の電気伝導特性評価2014

    • 著者名/発表者名
      左海 康太郎、服部 梓、神吉 輝夫、田中 秀和
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学、札幌市
    • 年月日
      2014-09-19
  • [学会発表] Reversible and Memoristive Modulation of Transport Property in VO2-Nano-Wires by an Electric Field via Air Nano-Gap2014

    • 著者名/発表者名
      Teruo Kanki, Tsubasa Sasaki and Hidekazu Tanaka
    • 学会等名
      International Union of Materials Research Society–International Conference in Asia 2014
    • 発表場所
      福岡大学、福岡市
    • 年月日
      2014-08-28
    • 招待講演
  • [学会発表] VO2ナノワイヤを用いた局所ペルチェ効果による金属-絶縁体相転移制御2014

    • 著者名/発表者名
      神吉 輝夫
    • 学会等名
      基盤研究S研究会「多自由度放射光 X 線二色性分光による強相関系界面新規電子相の研究」
    • 発表場所
      KKRホテル熱海、熱海市
    • 年月日
      2014-07-14
    • 招待講演
  • [学会発表] サイドゲート型VO2ナノワイヤ電界効果トランジスタによる電気化学ドーピング2014

    • 著者名/発表者名
      佐々木 翼、神吉 輝夫、田中 秀和
    • 学会等名
      基盤研究S研究会「多自由度放射光 X 線二色性分光による強相関系界面新規電子相の研究」
    • 発表場所
      KKRホテル熱海、熱海市
    • 年月日
      2014-07-14

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公開日: 2016-06-01  

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