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2013 年度 実績報告書

SOI MOSFET単一フォトン検出器の高性能化に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 25286068
研究種目

基盤研究(B)

研究機関静岡大学

研究代表者

猪川 洋  静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (50393757)

研究分担者 佐藤 弘明  静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (00380113)
小野 篤史  静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (20435639)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード単一フォトン検出器 / ホール寿命 / 最大カウントレート / ダークカウントレート / FinFET
研究概要

①受光面積拡大:p-オフセット領域の平面レイアウトを扇状に広げ受光面積の拡大を図ったが、SOI膜厚が予定より薄くなり過ぎ正常に動作するデバイスが得られなかった。多数の作製工程にわたる膜厚減少を把握し精密に制御する必要がある。
②SN比の評価:ドレイン電流ノイズ・スペクトルの基板バイアス依存性を評価したところ、基板バイアスの絶対値が大きくなる条件でノイズが増加し、スペクトルは1/f^2に漸近する特異なローレンツ型となることを見出した。SOI層中の結晶欠陥によりキャリアの発生・再結合ノイズが生じていると推定される。他方、信号レベル(蓄積されたホール1個に対するドレイン電流変化)を増大させることに関しては、デバイスの寸法縮小が基本的対応策である。短チャネル効果抑制などの観点から寸法縮小に有利なフィン型立体構造FET(FinFET)を新たに評価し、単一ホール検出に基づく光応答を初めて観測した。
③ホール寿命と飽和ホール数の把握:ホール寿命も大きな基板バイアス依存性を持ち、チャネル垂直方向の電界の増加に伴って寿命が長くなり蓄積されるホール数も増加することが見出された。ホール数は最大5個の蓄積が確認できたが飽和傾向は示さなかった。ノイズの少なさとホール寿命の短さの観点で0V付近の基板バイアスが好ましいとの結論が得られた。
④信号読み出し回路:フォトン数分解能に対応した信号処理アルゴリズムを新たに開発し、シミュレーションによって様々なフォトン入射レートで発生させた出力信号を用いて最大カウントレートやダークカウントなどの性能を評価した。光励起によって発生し蓄積された電荷(ホール)の検出感度を1E-5 e/√Hzまで改善できると、従来のアバランシェフォトダイオード並みの最大カウントレートと、4桁低いダークカウントレートが同時に達成できる(ダイナミックレンジが4桁改善できる)ことが分った。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本年度の課題とした4項目中3項目が達成されており、おおむね順調と言える。FinFETの光応答性の確認などは、最終的な目標の達成につながる大きな成果である。

今後の研究の推進方策

①受光面積拡大と量子効率の向上:p-オフセット領域の拡大に再度取り組む。本方法ではSOI膜厚で決まる特定の波長でしか高い量子効率が得られないため、効率がピークとなる波長が制御可能な表面プラズモン(SP)アンテナの導入も検討する。SPアンテナには集光機能を持たせることもできるため、オフセット領域の拡大に困難が生じた場合の対処策にも成り得る。
②SN比の向上:今年度見出したノイズの少ない動作条件の適用に加え、加工技術の改善やFinFET構造の導入などによるデバイスの微細化と欠陥の低減によりSN比を更に改善し、当初目標としていた電荷(ホール)の検出感度1E-4 e/√Hzが達成可能か検討する。
③ホール寿命と飽和ホール数の制御:今年度見出したホール寿命の短い動作条件の適用に加え、界面や結晶中の欠陥の影響にも着目して制御を図る。重要な性能上の指標である、最大カウントレートへの影響を把握する。
④高速信号読み出し回路:今年度開発したフォトン数分解能に対応した信号処理アルゴリズムをリアルタイム処理に取り組む。信号処理の高速化に加え、単一フォトン検出器に接続されるプリアンプが動作速度を制限している点に関しても改善を図る。
以上より、SOI MOSFET単一フォトン検出器が、従来の検出器を凌駕することができるか(もしくは可能性があるか)を検証する。

次年度の研究費の使用計画

受光面積拡大のためのデバイス試作が、学内共用装置の利用時間が取れない等の事情によって想定した程は進捗せず、ウエハ、フォトマスク、薬品などの消耗品の利用が計画量に達しなかった。読み出し回路が低速な間は既存のレーザーダイオードで足り、高速なレーザーダイオードシステムの導入は尚早であった。
受光面積拡大と量子効率の向上のためのデバイス試作を、学内装置利用の効率化や学外装置の利用によって確実に実施し、そのために必要な消耗品を購入したり外注を行ったりする。読み出し回路の高速化に対応して、高速なレーザーダイオードシステムを導入する。

  • 研究成果

    (10件)

すべて 2013 その他

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (6件) (うち招待講演 1件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Analysis of Hole Lifetime in SOI MOSFET Single-Photon Detector2013

    • 著者名/発表者名
      Dedy Septono Catur Putranto,Wei Du,Hiroaki Satoh,Atsushi Ono,Purnomo Sidi Priambodo,Djoko Hartanto,Hiroshi Inokawa
    • 雑誌名

      MAKARA Journal of Technology

      巻: 17(1) ページ: 7-10

    • DOI

      10.7454/mjt.v17i1.1920

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Enhancement of SOI Photodiode Sensitivity by Aluminum Grating2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Inokawa, Hiroaki Satoh, Ken Kawakubo, and Atsushi Ono
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 53(5) ページ: 127-130

    • DOI

      10.1149/05305.0127ecst

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Material Dependence of Metal Grating on SOI Photodiode for Enhanced Quantum Efficiency2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroaki Satoh, Ken Kawakubo, Atsushi Ono, and Hiroshi Inokawa
    • 雑誌名

      IEEE Photonics Technology Letters

      巻: 25(12) ページ: 1133-1136

    • DOI

      10.1109/LPT.2013.2260138

    • 査読あり
  • [学会発表] hotodetection Characteristics of Fin-Type Field-Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      Dedy Septono Catur Putranto, Kazuhiko Endo, Meishoku Masahara, Hiroaki Satoh, Atsushi Ono, Purnomo Sidi Priambodo, Djoko Hartanto, and Hiroshi Inokawa
    • 学会等名
      The 15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium
    • 発表場所
      Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      20131112-20131113
  • [学会発表] Recent Advances in Photodetectors Based on Silicon-On-Insulator2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Inokawa, Hiroaki Satoh, Atsushi Ono, Dedy Septono Putranto, and Tiwari Ajay
    • 学会等名
      The 2013 Korean-Japanese Student (KJS) Workshop
    • 発表場所
      Shizuoka Univ., Japan
    • 年月日
      20131031-20131101
    • 招待講演
  • [学会発表] Performance Estimation of SOI MOSFET Single-Photon Detector2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Inokawa, Yuki Nakagami, Dedy Septono Catur Putranto, Hiroaki Satoh, Atsushi Ono, Purnomo Sidi Priambodo, and Djoko Hartanto
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2013)
    • 発表場所
      Sofia, Bulgaria
    • 年月日
      20130923-20130927
  • [学会発表] Analysis of Photoresponse in SOI FinFET2013

    • 著者名/発表者名
      Dedy Putranto,遠藤和彦,昌原明植,佐藤弘明,小野篤史,Purnomo Priambodo,Djoko Hartanto,猪川洋
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      志社大学、京田辺市
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Evolution of Photodetectors by Silicon-On-Insulator Material2013

    • 著者名/発表者名
      Hiroshi Inokawa, Hiroaki Satoh, Atsushi Ono, Dedy Septono Catur Putranto, Wei Du, Purnomo Sidi Priambodob, Djoko Hartanto
    • 学会等名
      The 13th International Conference on QIR (Quality in Research)
    • 発表場所
      Yogyakarta, Indonesia
    • 年月日
      20130625-20130628
  • [学会発表] Substrate Bias Effects on Noise and Minority Carrier Lifetime in SOI MOSFET Single-Photon Detector2013

    • 著者名/発表者名
      Dedy Septono Catur Putranto, Hiroaki Satoh, Atsushi Ono, Hiroshi Inokawa, Purnomo Sidi Priambodo, Djoko Hartanto, and Wei Du
    • 学会等名
      The 13th International Conference on QIR (Quality in Research)
    • 発表場所
      Yogyakarta, Indonesia
    • 年月日
      20130625-20130628
  • [備考] ナノシステム集積化分野 | 静岡大学 電子工学研究所

    • URL

      http://www.rie.shizuoka.ac.jp/?page_id=57

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公開日: 2015-05-28  

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