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2015 年度 実績報告書

SOI MOSFET単一フォトン検出器の高性能化に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 25286068
研究機関静岡大学

研究代表者

猪川 洋  静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (50393757)

研究分担者 佐藤 弘明  静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (00380113)
小野 篤史  静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (20435639)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード単一フォトン検出器 / ホール寿命 / 最大カウントレート / ダークカウントレート / 単電子トランジスタ
研究実績の概要

①量子効率の向上:量子効率の向上と受光面積の増大のために、格子状の表面プラズモンアンテナを導入する検討を行った。このアンテナを使用するとアンテナ周辺の媒質の屈折率を高感度で測定できることが分かった。単一フォトン検出による屈折率計測につながるユニークな成果である。
②信号強度の増大:従来のMOSFET構造では、信号強度の増大と雑音の抑制を両立させ信号対雑音比、すなわちフォトンの入射によって生じる電荷に対する検出限界を向上させることが困難であるため、MOSFETに類似した工程で作製できるシリコン単電子トランジスタ、特に2重量子ドットや3重量子ドットのトランジスタを電荷検出器として利用することを考え、実験により検証した。
③ホール寿命と飽和ホール数の制御:光照射により単電子トランジスタの量子ドット中に生じるホール(もしくは分極)の寿命は短いため、高速動作(最大カウントレートの向上)に有利である。実際に高速動作のメリットを検証するためには、電流プリアンプの入力容量を減らす必要があり、単一フォトン検出器に近接してプリアンプを同一チップ上に集積することが残された課題である。
④高速信号読み出し回路:単一フォトン検出器の複雑な出力波形をリアルタイムで処理するディジタル信号ハードウェアについて継続して検討し、シミュレーションデータに加えて実験データも処理できることを確認した。

現在までの達成度 (段落)

27年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

27年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額が生じた理由

27年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額の使用計画

27年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2016 2015 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (3件) (うち国際学会 2件) 備考 (2件) 産業財産権 (1件) (うち外国 1件)

  • [雑誌論文] Identification of Double Quantum Dots in Nanowire Devices by Single-Gate Sweeps2016

    • 著者名/発表者名
      H. Inokawa and Y. Takahashi
    • 雑誌名

      JJAP Conf. Proc.

      巻: 4 ページ: 011201_1-5

    • DOI

      10.7567/JJAPCP.4.011201

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Fabrication and single-electron-transfer operation of a triple-dot single-electron transistor2015

    • 著者名/発表者名
      Mingyu Jo, Takafumi Uchida, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Akira Fujiwara, Yukinori Ono, Katsuhiko Nishiguchi, Hiroshi Inokawa and Yasuo Takahashi
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 118(21) ページ: 214305_1-6

    • DOI

      10.1063/1.4936790

    • 査読あり
  • [学会発表] Fabrication of Triple-Dot Single-Electron Transistor and its Turnstile Operation2015

    • 著者名/発表者名
      M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa and Y. Takahashi
    • 学会等名
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2015)
    • 発表場所
      Toyama International Conference Center, Toyama, Japan
    • 年月日
      2015-11-10 – 2015-11-13
    • 国際学会
  • [学会発表] Refractive Index Measurement toward Integrated Optical Biosensing by Silicon-On-Insulator Photodiode with Surface Plasmon Antenna2015

    • 著者名/発表者名
      H. Satoh, S. Iwata, D. Sugiyama, A. Ono, and H. Inokawa
    • 学会等名
      The 14th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2015)
    • 発表場所
      Congress Center in Hamamatsu ACTCITY, Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-09-28 – 2015-09-30
    • 国際学会
  • [学会発表] 表面プラズモンアンテナ付SOIフォトダイオードを用いたショ糖水溶液の屈折率測定における性能評価2015

    • 著者名/発表者名
      佐藤 弘明、岩田 将平、小野 篤史、猪川 洋
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [備考] ナノシステム集積化分野

    • URL

      http://www.rie.shizuoka.ac.jp/?page_id=57

  • [備考] SOI MOSFETによる単一フォトン検出

    • URL

      http://www.oisc.shizuoka.ac.jp/cmsdesigner/dlfile.php?entryname=sangaku&entryid=00679&fileid=00000003&/zai15inokawa.pdf&disp=inline

  • [産業財産権] 屈折率測定装置2016

    • 発明者名
      猪川洋、佐藤弘明、小野篤史
    • 権利者名
      静岡大学
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2016/53981
    • 出願年月日
      2016-02-10
    • 外国

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公開日: 2017-01-06  

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