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2015 年度 実績報告書

プラズマ微細加工におけるナノ揺らぎ制御に係わるプラズマ科学の創成

研究課題

研究課題/領域番号 25286080
研究機関名古屋大学

研究代表者

関根 誠  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80437087)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワードプラズマ加工 / プラズマ化学 / 凹凸
研究実績の概要

プラズマ微細加工におけるナノ揺らぎ制御に関わるプラズマ科学の創成を目指す上で、プラズマからのイオン・ラジカル・光のナノ揺らぎ発生に与える効果を解明することを目的に進めている。そのため、プラズマビーム装置を用いて反応性プラズマ内で生じるイオン・ラジカル・光を独立に制御して、試料に照射し、試料表面で生じるイオン・ラジカル・光の個別ならびに相乗的な反応を解析した。試料表面は、表面プローブ顕微鏡による凹凸形状の変化の観察、X線光電子分光や赤外分光による化学組成・結合変化について解析した。これまで、フルオロカーボンガスについての研究を進めて来たが、一昨年度から新たにCl2やHBrガスを使用した反応性プラズマとの間で生じる表面反応解析に取り組んでいる。プラズマから表面に照射されるイオン・ラジカル・光の照射量を定量することができるようになり、凹凸周期に関するパワースペクトル密度解析の結果、サブナノメータレベルの凹凸形成にはイオン照射が影響し、100nmレベルのラフな凹凸形成には光照射や熱による機械的な変形に起因していることが見いだされた。Siのエッチングで使用されるHBrのプラズマ発光に着目し、真空紫外領域の紫外線発光のドーズに応じて化学構造変化が見られていて、それに関連して凹凸形成も見られることが分かっている。ナノスケールエンジニアリングした微細加工を実現するため温度変化の影響を最低限に抑えて、プラズマと表面の相互作用に関わる化学反応と材料損傷の定量解析が進められた。

現在までの達成度 (段落)

27年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

27年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額が生じた理由

27年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額の使用計画

27年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2016 2015

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (2件) (うち国際学会 2件、 招待講演 2件)

  • [雑誌論文] Real-time temperature-monitoring of Si substrate during plasma processing and its heat-flux analysis2016

    • 著者名/発表者名
      Takayoshi Tsutsumi, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • 雑誌名

      Japan. J. Appl. Phys.

      巻: 55 ページ: 01AB04

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.01AB04

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Feedback Control System of Wafer Temperature for Advanced Plasma Processing and its Application to Organic Film Etching2015

    • 著者名/発表者名
      Takayoshi Tsutsumi, Yusuke Fukunaga, Kenji Ishikawa, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Takayuki Ohta, Masafumi Ito, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • 雑誌名

      IEEE Trans Semiconductor manufacturing

      巻: 28 ページ: 515-520

    • DOI

      10.1109/TSM.2015.2470554

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Suppression of plasma-induced damage on GaN etched by a Cl2 plasma at high temperatures2015

    • 著者名/発表者名
      Zecheng Liu, Jialin Pan, Takashi Kako Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Keigo Takeda, Hiroki Kondo, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • 雑誌名

      Japan. J. Appl. Phys.

      巻: 54 ページ: 06GB04

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.06GB04

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electronic properties of HBr, O2 and Cl2 used in Si etching2015

    • 著者名/発表者名
      Toshio Hayashi, Kenji Ishikawa, Makoto Sekine, and Masaru Hori
    • 雑誌名

      Japan. J. Appl. Phys.

      巻: 54 ページ: 06GA03

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.06GA03

    • 査読あり
  • [学会発表] Low-Damage Etching Technology for Nitride Semiconductor Devices2015

    • 著者名/発表者名
      Makoto Sekine
    • 学会等名
      Plasma Science and Technology, AVS 62nd International Symposium & Exhibition
    • 発表場所
      the San Jose Convention Center, San Jose, CA
    • 年月日
      2015-10-21 – 2015-10-21
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Reactive species in atmospheric pressure Ar plasma and their effect on yeast cells2015

    • 著者名/発表者名
      Makoto Sekine
    • 学会等名
      International Workshop for Bio & Medical Applications of Plasma Science
    • 発表場所
      Josef Stefan Institute, Slovenia
    • 年月日
      2015-09-29 – 2015-09-29
    • 国際学会 / 招待講演

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公開日: 2017-01-06  

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