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太陽電池の性能向上と製造コストの削減を目的として、本研究では、危険な毒性原料ガスを用いる事無く、シリコンなどの半導体薄膜の形成を可能とする大気圧プラズマ化学輸送法を用いて、ナノワイヤシリコン（NW-Si）薄膜を形成するための必要条件を見出した。とりわけ、NW-Si薄膜をプラズマ中で作製するためには、触媒の種類、原子状水素のエッチング作用の抑制、さらにはSi系前駆体フラックスの最適化が必要であることを明らかにした。また、リモート型プラズマ化学輸送法を用いて金属級シリコンを原料に用いたNW-Siの形成に成功した。
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