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2013 年度 実績報告書

低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング

研究課題

研究課題/領域番号 25289079
研究種目

基盤研究(B)

研究機関北海道大学

研究代表者

佐藤 威友  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)

研究分担者 橋詰 保  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (80149898)
本久 順一  北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (60212263)
谷田部 然治  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 研究員 (00621773)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード化学センサ / 半導体物性 / 表面・界面物性 / 電子・電気材料 / ナノ材料
研究概要

窒化物半導体表面の電気化学的基礎特性を明らかにし、提案する低損傷プロセスの基礎となるエッチング技術に取り組んだ。具体的には、窒化物半導体表面と電解液界面の電気化学的基礎物性を明らかにし、多孔質ナノ構造の形成に成功した。また、窒化物半導体表面のエッチング制御に関して、エッチング量は電荷量で制御可能であること、AlGaNに対しGaNは大きなエッチング選択比がとれることを明らかにし、多孔質構造の形状制御に繋がる基礎的知見を得た。
1. 窒化物半導体(n-GaN, p-GaN, AlGaN)と電解液界面の電気化学的特性を明らかにした。n-GaNおよびAlGaNに対しては、もともと陽極反応に要する正孔が少なく、陽極反応には、光(紫外~可視)を照射するか暗中では8V以上の大きな電圧が必要であることが分かった。一方、p-GaNは正孔密度が高く、約1.5Vの低電圧条件で陽極反応が進行することが分かった。
2. 窒化物半導体(n-GaN, p-GaN)の電気化学エッチング法を確立した。酸性電解液を用い、上記1で得られた陽極酸化条件において、半導体表面のエッチングが進行することを示した。エッチング量は通過電荷量で制御可能であり、AlGaN層がエッチングストップ層となることを明らかにした。これは、GaN/AlGaN構造において選択的なGaNのエッチングと、多孔質ナノ構造の深さ制御に繋がる結果である。
3. 光支援電気化学プロセスによりn-GaN基板に対して多孔質ナノ構造を形成することに成功し、孔の寸法の精密な制御に向けた基礎的知見を得た。初期に形成されるエッチピットを起点とし、電界に沿った深さ方向(基板垂直方向)と、孔径を拡大させる横方向のエッチングにより孔が形成されていくことを、通過電荷量と電子顕微鏡による観察結果との相関により明らかにした。これにより、孔の形状制御に向けた実験準備が整った。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

今年度の研究目的としていた、窒化物半導体の電気化学特性とエッチング条件を明らかにし、当初の計画とおり、多孔質ナノ構造の形成に成功した。また、学術誌4編(うち査読付き2編)、国内外の学会14件(うち招待講演2件)の研究成果の公表があり、初年度として順調に研究が進展している。

今後の研究の推進方策

次年度(平成26年度)も事業交付申請時の研究計画に従って実施する。主として、多孔質ナノ構造の形状制御と電気的・光学的物性の評価に取り組む。
1. 窒化物多孔質構造の精密な位置制御と直線性の改善:多孔質構造の孔の配列制御と寸法(孔径・深さ)制御を行う。今年度に最適化した形成条件を継承しつつ、さらに孔形成の起点となる凹凸加工した基板を初期基板として用いて、より精密な孔の位置制御を行う。また、光市援用局酸化プロセスとして、基板裏面から光を照射する方法について検討し、孔の直線性の改善に取り組む。
2. 窒化物半導体多孔質構造の電気的・光学的物性評価:フォトルミネッセンス法と紫外・可視・赤外分光法を用いて、多孔質構造内部のポテンシャル状態を明らかにする。バンドシミュレーターによる解析結果と比較しながら、孔内部の表面電位変化と電気的特性の相関を明らかにする。
3. AlGaN/GaN ヘテロ構造への電気化学エッチングプロセスの適用:窒化物半導体へテロ構造に対し、電気化学的手法による表面の低損傷エッチングプロセスを開発する。様々な条件でエッチングを施した加工表面に対し、XPS法による化学分析と、AFM、SEMなどの構造評価により、電気化学条件と表面状態の相関を明らかにし、低損傷加工技術を完成させる。

次年度の研究費の使用計画

GaN基板代として予算を計上していたが、効率的に実験が進み予定より基板の使用枚数少なかった。このため、研究の進展にあわせて効果的に使用することが望ましいと判断し、次年度使用額が生じた。
今後、多数必要になると思われるGaN基板と、研究の進展にあわせて必要となった備品:朝日分光社製モノクロメータの購入に充てる計画である。

  • 研究成果

    (20件)

すべて 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (14件) (うち招待講演 2件) 備考 (2件)

  • [雑誌論文] Investigation on Optical Absorption Properties of Electrochemically Formed Porous InP using Photoelectric Conversion Devices2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kumazaki, T. Kudo, Z. Yatabe and T. Sato
    • 雑誌名

      Applied Surface Science

      巻: 279 ページ: 116-120

    • DOI

      10.1016/j.apsusc.2013.04.046

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation and Photoelectrical Measurements of Pt Schottky Interfaces on InP Porous Structures2013

    • 著者名/発表者名
      R. Jinbo, Y. Kumazaki, Z. Yatabe and T. Sato
    • 雑誌名

      ECS Transactions

      巻: 50 ページ: 247-252

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換2013

    • 著者名/発表者名
      熊崎 祐介, 神保 亮平, 谷田部 然治, 佐藤 威友
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: vol. 113, no. 39, ED2013-27 ページ: 61-64

  • [雑誌論文] 熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友2013

    • 著者名/発表者名
      電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
    • 雑誌名

      信学技報

      巻: vol. 113, no. 329, ED2013-88 ページ: 113-116

  • [学会発表] 電気化学的手法によるIII-V族半導体多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用2014

    • 著者名/発表者名
      佐藤 威友, 渡部 晃生,熊崎 祐介
    • 学会等名
      公益社団法人電気化学会第81回大会
    • 発表場所
      関西大学(大阪府吹田市)
    • 年月日
      20140329-20140331
  • [学会発表] 窒化物半導体異種接合の評価と制御2014

    • 著者名/発表者名
      佐藤 威友, 赤澤正道, 橋詰 保
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県相模原市)
    • 年月日
      20140317-20140320
    • 招待講演
  • [学会発表] AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング2014

    • 著者名/発表者名
      熊崎 祐介, 佐藤 威友, 橋詰 保
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県相模原市)
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] III-V族化合物半導体多孔質構造の形成と機能素子への応用2014

    • 著者名/発表者名
      佐藤 威友,熊崎 祐介, 渡部 晃生
    • 学会等名
      表面技術協会第129回講演大会
    • 発表場所
      東京理科大学(千葉県野田市)
    • 年月日
      20140313-20140314
    • 招待講演
  • [学会発表] GaN多孔質構造の形状制御と化学センサへの応用2013

    • 著者名/発表者名
      渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
    • 学会等名
      第49回応用物理学会北海道支部学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      20131209-20131210
  • [学会発表] 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性2013

    • 著者名/発表者名
      熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      大阪大学(大阪府吹田市)
    • 年月日
      20131128-20131129
  • [学会発表] Structural and Optical Characterization of GaN Porous Structures Formed by Photo-assisted Electrochemical Process2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe and T. Sato
    • 学会等名
      224th ECS meeting
    • 発表場所
      Hilton Hotel(San Francisco, USA)
    • 年月日
      20131027-20131101
  • [学会発表] Photoabsorption and Photoelectric Conversion Properties of InP Porous Structures Formed by Electrochemical Process2013

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, Y. Kumazaki, R. Jinbo and Z. Yatabe
    • 学会等名
      224th ECS meeting
    • 発表場所
      Hilton Hotel(San Francisco, USA)
    • 年月日
      20131027-20131101
  • [学会発表] GaN多孔質ナノ構造の表面形状と光電気化学特性2013

    • 著者名/発表者名
      熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府京田辺市)
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] 電気化学的手法と裏面光照射法によるGaN多孔質ナノ構造の形成2013

    • 著者名/発表者名
      渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府京田辺市)
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Selective etching of p-GaN layers for normally-off AlGaN/GaN HEMTs by electrochemical process2013

    • 著者名/発表者名
      3. Y. Kumazaki, N. Azumaishi, H. Ueda, M. Kanechika, H. Tomita, T. Sato and T. Hashizume
    • 学会等名
      10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    • 発表場所
      Gaylord National Hotel and Convention Center Washington (Washington DC, USA)
    • 年月日
      20130825-20130830
  • [学会発表] Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kumazaki, A. Watanabe, R. Jinbo, Z. Yatabe and T. Sato
    • 学会等名
      32nd Electronic Materials Symposium (EMS32)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(滋賀県守山市)
    • 年月日
      20130710-20130712
  • [学会発表] Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Kumazaki, A. Watanabe, R. Jinbo, Z. Yatabe and T. Sato
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013)
    • 発表場所
      神戸コンベンションセンター(神戸市、兵庫県)
    • 年月日
      20130519-20130523
  • [学会発表] 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換2013

    • 著者名/発表者名
      熊崎 祐介, 神保 亮平, 谷田部 然治, 佐藤 威友
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      静岡大学(静岡県浜松市)
    • 年月日
      20130516-20130517
  • [備考] 量子集積エレクトロニクス研究センター・量子知能デバイス研究室

    • URL

      http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/labo/qid/

  • [備考] 量子集積エレクトロニクス研究センター・電気化学プロセスグループ

    • URL

      http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~taketomo/ec/index.html

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公開日: 2015-05-28  

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