| 研究課題/領域番号 |
25289079
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 一部基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 北海道大学 |
|---|
研究代表者 |
佐藤 威友 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)
|
|---|
| 研究分担者 |
橋詰 保 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (80149898)
本久 順一 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 教授 (60212263)
谷田部 然治 熊本大学, 学内共同利用施設等, 助教 (00621773)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
|
| キーワード | 窒化物半導体 / 化学センサ / 光電気化学 / 多孔質構造 / 低損傷プロセス / 高電子移動度トランジスタ / エネルギー変換 |
|---|
| 研究成果の概要 |
窒化物半導体イオン感応性電界効果トランジスタ（ISFET）のさらなる高感度化に向けて、多孔質構造をゲート検出部に持つ新しいISFETを提案しその基盤技術を確立した。電気化学酸化とエッチングにより、高いアスペクト比を有する直径数10nm程度の微細孔を高密度に形成することに成功し、その精密な寸法制御を達成した。大きな孔内壁表面と構造により変調された急峻な内部ポテンシャルが、光電気化学反応の高感度検出に有望であることを明らかにした。孔内部のイオン拡散と電気二重層への電荷充放電について、実験結果および理論的考察をもとに分析し、化学センサの高速化・高感度化に向け新しい知見を得た。
|
| 自由記述の分野 |
半導体デバイス工学
|
