| 研究課題/領域番号 |
25289081
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 茨城大学 |
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研究代表者 |
鵜殿 治彦 茨城大学, 工学部, 教授 (10282279)
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| 研究分担者 |
板倉 賢 九州大学, 総合理工学研究科, 准教授 (20203078)
磯田 幸宏 物質・材料研究機構, 電池材料ユニット, 主任研究員 (80354140)
江坂 文孝 日本原子力研究開発機構, 原子力基礎工学研究部門, 研究主幹 (40354865)
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| 連携研究者 |
塩見 淳一郎 東京大学, 工学研究科, 准教授 (40451786)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | シリサイド半導体 / Mg2Si / MnSi1.7 / 熱電変換 / バルクナノ構造 |
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| 研究成果の概要 |
シリサイド半導体は、地殻中資源量が豊富な元素で構成され、毒性が低いなどの特徴を備えており、中温域で利用できる廃熱発電材料として注目される。
本研究では高い熱電性能のシリサイド半導体を得るために、不純物偏析を利用したn-Mg2Si, p-MnSi1.7ナノ構造バルク結晶を合成し、その熱電特性を調べた。溶融結晶Mg2Siにわずか0.5at%のBiまたは1at%のSbを添加することで室温での格子熱伝導率をそれぞれ約38%、約40%まで低減できることを明らかにした。また、n-Mg2Si, p-MnSi1.7に温度変調により不純物偏析構造を作製した。
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| 自由記述の分野 |
電気・電子材料
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