| 研究課題/領域番号 |
25289082
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
丹羽 正昭 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (90608936)
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| 研究分担者 |
蓮沼 隆 筑波大学, 数理物質科学研究科, 准教授 (90372341)
白石 賢二 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20334039)
佐藤 創志 東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 助教 (80649749)
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| 連携研究者 |
山部 紀久夫 筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 (10272171)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 絶縁破壊機構 / 表面・界面物理解析 / 信頼性物理 / ゲート絶縁膜 / 結晶性 / ヘテロエピタキシャル成長 / 透過型電子顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
現代の深刻なエネルギー問題、特に電気エネルギーの観点から、ワイドギャップ半導体を用いた高性能・低消費電力型のパワーデバイス用MOSFETの基本的な課題、具体的には、１）Al, Ploy Si/SiO2/SiCキャパシタの絶縁破壊現象および、２）GaN/BP/Si(001)積層構造の結晶性評価を行った。
１）では、Si-MOSでは見られない特有の”絨毯爆撃状”絶縁破壊痕を確認し,その発生機構を電気的、物理解析的に解明した。２）では、Si(001)直上のBPの結晶構造の乱れが、表面方向に沿って減少し、結晶性の良好なGaN層を形成するためには、欠陥の少ないBP表面が不可欠であることを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
電子デバイス界面制御、評価
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