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近年，小型・高出力半導体光源が，レーザディスプレイ，分析（蛍光分光分析），照明，光通信，加工，光データ記録などの分野で求められ，開発が進められている。これら高出力半導体光源の諸特性は，活性層の温度と密接な関係があり，発生した熱をいかに効率よく放熱させ，活性層の温度上昇を抑えるかが重要となっている。
本研究では，高放熱基板として炭化ケイ素(SiC)に着目し，直接遷移型化合物半導体(GaAs)ウェハとSiCウェハの直接常温接合および極めて平滑な（二乗平均平方根粗さ< 0.5 nm）金(Au)薄膜を介した大気中常温接合により，半導体光源の高放熱構造を形成することが可能であることを示した。
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