| 研究課題/領域番号 |
25289091
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
佐久間 芳樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料ユニット, グループリーダー (60354346)
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| 研究分担者 |
池沢 道男 筑波大学, 数理物質科学研究科, 准教授 (30312797)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 量子閉じ込め / 単一不純物 / 励起子 / 単一光子 / 等電子トラップ / フォトニック結晶 / パーセル効果 / MOCVD |
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| 研究成果の概要 |
発光エネルギーや強度の揃った高性能な単一光子源を実現するため、GaAs中にドープされた窒素不純物が作る等電子トラップの特性制御に関する研究を行った。AlGaAs/GaAs:N/AlGaAs量子井戸構造を使って等電子トラップからの発光エネルギーを制御できることを明らかにしたほか、フォトニック結晶のL3共振器によって等電子トラップからの自然放出光がパーセル効果によって増強されることを実証した。
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| 自由記述の分野 |
結晶工学、応用物理学、
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