| 研究課題/領域番号 |
25289096
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
山本 貴富喜 東京工業大学, 工学院, 准教授 (20322688)
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| 連携研究者 |
藤井 輝夫 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (30251474)
高井 まどか 東京大学, 工学研究科, 教授 (40287975)
福場 辰洋 独立行政法人海洋研究開発機構, 海洋工学センター, 技術研究主任 (80401272)
茂木 克雄 東京工業大学, 工学院, 研究員 (20610950)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | Microfluidics / Lab-on-a-chip / MEMS / NEMS / Bionanotechnology / Single-molecule |
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| 研究成果の概要 |
電気インピーダンス計測によりナノ流路内のイオン分布と輸送現象を評価した。その結果，流れがある場合，流れが無い状態に対して電気二重層の厚さが薄くなるという結果を得ることが出来た。さらに，電気二重層がオーバーラップする程に細いナノ流路内では，表面電荷を打ち消すカウンターイオンでナノ流路内が占められていると考えられ，Grahameの式で見積もった表面電荷量をDebye-Huckel-Onsager式にフィードバックして抵抗値に換算したところ，ナノ流路表面の表面電荷に制限された抵抗値が得られ，低濃度側における電気二重層のオーバーラップ状態の抵抗値と非常に良く一致することを明らかとした。
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| 自由記述の分野 |
Nanofluics
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