表面再構成制御成長法を用いたSi基板上InSb-CMOSの研究

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 25289099
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 富山大学
• 研究代表者: 森 雅之 富山大学, 理工学研究部(工学), 准教授 (90303213)
• 連携研究者: 前澤 晃一 富山大学, 大学院理工学研究部, 教授 (90301217)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: InSb / Si(111) / InGaSb / GaSb / MOSFET / ALD

研究成果の概要

表面再構成制御成長法を用いたSi(111)基板上へのInSb薄膜を用いたAl2O3/InSb/Si n-MOSFETの特性向上のため、ゲート電極をオーバーラップ構造としたり、レーザー露光装置の導入とソース・ドレイン電極を2回に分けて形成するなどのプロセスの見直しを行った。また、Si基板上のInSb-CMOS実現に向けたp-MOSFET用のGaSbやInGaSb薄膜の成長技術の蓄積、そしてTFET実現に向けたn-InSb/p-Siヘテロ界面を理解するための電気的特性の評価を行った。

自由記述の分野

半導体薄膜工学