研究課題
基盤研究(B)
フラットパネルディスプレイやフレキシブルデバイスに使用する薄膜トランジスタのチャネル層への応用を目的として、金属触媒を利用してSi等の半導体薄膜を低温で結晶化する技術の開発に取り組んだ。その結果、あらかじめAl等の金属触媒でコートした加熱基板上にSi原子を供給したり、加熱基板上にAuとGeを同時に供給することで、結晶化をより低温で起こすことが可能であることを明らかにした。また、触媒金属内にドーパントを添加しておくことで、半導体への低温ドーピングも可能であることも見出した。
材料物性
