研究課題
基盤研究(B)
本研究においては，GaAsやInPなど半導体の，高アスペクト比のメソーマクロ領域での規則構造を持つホールアレーおよびピラー・ワイヤーアレイを，微粒子フォトリソグラフィーと（金属触媒促進）化学エッチングやアノードエッチング，アノード酸化を複合化する手法で作製し，そのデバイス特性を評価した。また，GaAsの結晶異方性エッチングに対する種々のエッチャントの効果を検討した。得られた結果から，それぞれの結晶面のエッチング速度はエッチャントの種類と酸化剤の濃度に大きく依存することが明らかになった。
表面化学，電気化学，無機材料化学
