| 研究課題/領域番号 |
25289270
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属・資源生産工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 |
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研究代表者 |
稲富 裕光 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 教授 (50249934)
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| 研究分担者 |
早川 泰弘 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00115453)
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| 連携研究者 |
ムカンナン アリバナンドハン 静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (50451620)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 対流制御 / 均一組成結晶 / InGaSb / 不純物縞 / 界面カイネティクス / 面方位依存性 / 成長速度 |
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| 研究成果の概要 |
対流が抑制された条件にて、以下の新たな現象が見出された。1) 成長結晶中の濃度均一性の向上や欠陥の減少に留まらず、成長量が多く結晶成長の高速化が起こった。この原因は通常条件では密度差対流が原料から成長界面近傍への均等な溶質輸送を阻害することによることが明らかになった。2) 成長カイネティクスの影響が顕在化して(111)A、B面の結晶が共に平坦に成長した。また、溶解量、成長速度についても面方位依存性が見られた。原子モデルに基づく考察により、(111)A、B面の成長・溶解過程の違いは単位胞中の結合数が異なることが原因と考えられる。
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| 自由記述の分野 |
凝固・結晶成長、熱物性、熱物質輸送、非接触計測
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