|
資源枯渇や環境問題の解決策として超高効率な集光型接合型太陽電池が注目されている。従来の太陽電池よりも高い変換効率が得られるが、未だその値が理論期待値よりも低い事が課題である。本研究では、疑似太陽光を照射しながらSiとGaAsのHall測定を実施し、集光太陽光照射によって光励起キャリアの輸送過程にどのような影響が生じるかを調べた。その結果、SiとGaAsともに集光度増加によってHall移動度が減少し、この減少割合は半導体中の不純物濃度が大きいほど小さかった。集光型太陽電池の変換効率改善には適切な不純物濃度が存在することが明らかとなった。
|
