研究課題
本研究では、脱落膜化によりゲノム全体にわたりどのようなヒストン修飾変化が誘導されるのかを次世代シーケンサーを用いて解析し、またヒストン修飾変化を伴い発現が変化する遺伝子は脱落膜化に関しどのような生理学的役割を果たしているのかを検討した。脱落膜化によりゲノム全体にわたり多くの領域でヒストン修飾が変化した。その変化は転写活性化に作用するH3K27acまたはH3K4me3修飾の上昇が主であり、H3K27ac、H3K4me3修飾の低下や転写抑制に働くH3K27me3修飾の変化は少なかった。さらに、ゲノムワイドのmRNA発現変化をRNAシークエンス法で解析した。H3K27acまたはH3K4me3の修飾上昇変化を伴って発現が増加する遺伝子群の特徴をパスウエイ解析で調べたところ、insulin signalingに関連する遺伝子(IRS1, IRS2, INSR, FOXO1, MAPK10) が多く含まれていた。次に、インスリン経路関連遺伝子の役割としてグルコースの取り込みを調べた。脱落膜化の誘導により、グルコースの取り込み能が上昇したが、低グルコース培養下では、脱落膜化によるIGFBP-1とPRL 発現(脱落膜化マーカー遺伝子)の増加が抑制された。この機序として、低グルコース培養下では脱落膜化に関与する転写因子であるFOXO1 のプロモーター領域のH3k27ac が低下し、FOXO1発現が低下することによって、IGFBP-1とPRL 発現が抑制されることが見出された。ゲノムワイドな解析により、ESCの脱落膜化により多くの遺伝子がヒストン修飾変化を伴い発現が変化することが明らかとなった。特に、脱落膜化によるヒストン修飾を介したインスリン経路遺伝子群の活性化は、グルコースの取り込みを促進し脱落膜化の誘導に貢献しており、脱落膜化における糖代謝の重要性が示された。
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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