| 研究成果の概要 |
脳型計算機の開発に向けて, 高集積化のために不可欠なフローティングゲートメモリと縦型MOSトランジスタから構成されるナノシナプスデバイスの設計・試作・動作検証, ニューロン回路や学習回路との整合性の検証を行うことを目的として研究を行った. その結果, まず, フローティングゲート電極用ポリシリコン薄膜形成プロセス, ならびに縦型MOSトランジスタ製作プロセスの開発を行い, 各種プロセス条件の最適化を行った. また, こうしたプロセス条件を用いて製作されるナノシナプスデバイスの特性を予測・評価し, 大規模神経回路への応用における有効性と問題点を検証した.
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