| 研究課題/領域番号 |
25390033
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
小池 一歩 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40351457)
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| 研究分担者 |
原田 義之 大阪工業大学, 工学部, 准教授 (20288757)
矢野 満明 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40200563)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 酸化モリブデン / 分子線エピタキシー / 結晶構造制御 / エピタキシャル成長 / 放射線耐性 |
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| 研究実績の概要 |
前年度までに、分子線エピタキシー法でｒ面サファイア基板にｃ軸配向した単斜晶の三酸化タングステン（ＷＯ３）薄膜がエピタキシャル成長すること、その上に１１０配向した斜方晶の三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）薄膜がエピタキシャル成長することを明らかにしている。今年度は、ＭｏＯ３と格子定数が近接している（ＬａＳｒ）（ＡｌＴａ）３基板（ＬＳＡＴ基板）を用いて、高品質なＭｏＯ３薄膜の成長を試みた。分子線エピタキシー法でＬＳＡＴ基板にＭｏＯ３を成膜したところ、ｂ軸配向した斜方晶のＭｏＯ３薄膜がエピタキシャル成長することが判った。ｂ軸配向したＭｏＯ３薄膜は面内方向に層間が形成されるため、金属イオンを層間へインターカレーションすることで面内方向の電気伝導度を５～７桁変化させることが可能である。このことから、抵抗可変メモリーなど新規デバイスへ応用できる可能性がある。さらに我々は、ｃ軸配向したＷＯ３薄膜をバッファ層とすることで、その上に単斜晶のＭｏＯ３がエピタキシャル成長することも明らかにした。単斜晶はＡサイトを有するペロブスカイト構造で構成されており、斜方晶よりも比表面が大きいことから、マイクロバッテリーやガスセンサーへの応用に適している。単斜晶のＭｏＯ３をエピタキシャル成長した報告例は殆どなく、結晶構造を制御してＭｏＯ３薄膜をエピタキシャル成長した本研究成果は、新規デバイスの開発に重要な知見を与えたと云える。
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