室温スピン注入を実現するInPベーススピントロニクス

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 25390052
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性
• 研究機関: 長岡技術科学大学
• 研究代表者: 内富 直隆 長岡技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20313562)
• 連携研究者: 豊田 英之 長岡技術科学大学, 工学部, 技術職員 (90467085) ; 神保 良夫 長岡技術科学大学, 工学部, 教務職員 (10134975)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• キーワード: 磁性半導体 / 多元化合物

研究成果の概要

InPベーススピントロ二クスを実現するために、Mn添加ZnSnAs2とIII-V半導体のヘテロ接合形成の可能性について調べた。磁性半導体を含む磁性量子ナノ構造では、InP基板に格子整合するAl0.48In0.52As,　Ga0.47In0.53Asと、ZnSnAs2薄膜とMn添加ZnSnAs2薄膜とのヘテロエピタキシャルの可能性について検討し、InAlAs/ZnSnAs2:Mnの磁性量子井戸構造の作製を実証した。室温強磁性の起源を調べるために3次元アトムプローブや3次元蛍光Ｘ線ホログラフィーの測定を来ないスピノーダル分解相の可能性やAs面の揺らぎなど強磁性に影響する実験結果を得ることができた。

自由記述の分野

半導体工学