| 研究成果の概要 |
フッ素フリーMOD法を用いたケミカルドーピング法による超伝導薄膜形成において、Zrを5wt%添加すること及び、2ステップ熱処理により磁場中の超伝導臨界電流輸送特性が向上した。Zrを添加した超伝導薄膜中にBaZrO3ナノ粒子が形成されていることを高分解能透過型電子顕微鏡観察により確認した。超伝導薄膜を形成する希土類元素を2つ以上混晶化した(Gd,Dy)BCO、(Gd,Eu)BCO、および(Gd,Ho,Sm)BCO薄膜は、GdBCOのみと比べて高い臨界電流密度特性を示すことが分かった。また、GdBCO薄膜にHoを5mol%添加した薄膜において、臨界電流密度が向上することが分かった。
|
