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非極性面窒化物半導体結晶の実現を目指し、面方位の新規制御技術の確立を目的とし、GaAs基板のエッチング異方性を利用した基板加工、およびそれに続く加工基板上への窒化物半導体結晶の選択的結晶成長を試みた。
GaAs(110)基板加工および基板のエッチング条件の探索を実施し、優先的にGaAs(111)Aファセットおよび、(111)Aおよび(111)Bファセットの両方を同時形成することに成功した。InN成長において、(111)Aおよび(111)Bファセットを形成した基板上への成長を試み、成長温度による結晶成長面安定性を利用して(111)B面へ選択的に成長することに成功した。
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