| 研究課題/領域番号 |
25390067
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
加藤 正史 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80362317)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / 材料加工・処理 / 省エネルギー / 半導体物性 |
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| 研究概要 |
本研究では4H-SiCバイポーラデバイス実用化のために、キャリアライフタイムに影響を与える表面再結合速度を定量的に観測するものである。バイポーラデバイスにおいては表面処理プロセス後の表面再結合とその温度依存性が重要である。その背景に従い、本研究の当該年度においては、以下の項目を実施した。
１）表面処理プロセスを施した4H-SiC(0001)面の表面再結合速度評価：4H-SiC（0001）面自立エピ基板を利用し、表面処理プロセスが(0001)Si面およびC面の表面再結合速度に対して与える影響を観測した。実施した表面処理プロセスはプラズマエッチングや、溶融塩による化学エッチングであり、それらの処理を施した試料に対しキャリアライフタイム測定を行い表面再結合速度を見積もった。また、その他にも表面を保護する酸化膜のパッシベーション膜の堆積処理を施した試料に対しても予備的に実験を実施した。
２）表面再結合速度の温度依存性観測：非接触な熱風によりμ-PCD測定に影響を与えない形で試料を加熱し、熱電対および制御器により加熱器の出力を調整し、試料の温度を制御した。この温度制御された環境下で項目１）で使用した試料に対してμ-PCD測定を実施し、各表面状態での表面再結合速度の温度依存性を観測した。
上記の実験の実施により、様々な処理を施した4H-SiC(0001)面での表面再結合速度の定量的な値を得て、さらにその温度依存性の観測を行うことに成功した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
研究計画・方法に記載した当該年度の研究項目にほぼ一致した内容を実施できているため。
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| 今後の研究の推進方策 |
今後は研究計画に記載した、(1120)および(1100)面の表面再結合速度評価、およびpinダイオード測定による表面再結合速度の確認、の二項目を実施する予定である。
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| 次年度の研究費の使用計画 |
(1100)面および(1120)面の試料の入手が当該年度にできなかったため、次年度に購入予定である。
(1100)面および(1120)面の試料の入手をして使用する予定である。
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