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2015 年度 研究成果報告書

4H-SiC表面再結合速度の定量的観測

研究課題

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研究課題/領域番号 25390067
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 結晶工学
研究機関名古屋工業大学

研究代表者

加藤 正史  名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80362317)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード電気・電子材料 / 電子デバイス・機器 / 材料加工・処理 / 省エネルギー / 半導体物性
研究成果の概要

本研究課題により得られた成果は、以下の5点である。
1.n型4H-SiC(0001)Si面およびC面の表面再結合速度の定量値およびそれらの温度依存性を得た。また4H-SiCの表面再結合速度が表面に吸着した物質の影響を受けることを見出した。2.マイクロ波によるキャリアライフタイム測定において、測定値の精度を高める手法を見出した。3.p型4H-SiC(0001)Si面およびC面の表面再結合速度の定量値を得た。4.様々な温度、伝導型、ドーピング密度および過剰キャリア濃度での実験結果に対して、高精度に表面再結合速度の見積もりが可能な解析手法を確立した。

自由記述の分野

半導体工学

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公開日: 2017-05-10  

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