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本研究では、窒化物半導体光・電子素子の特性を議論する上で、欠かすことのできない表面・界面における再結合過程に注目した。AlGaN/GaN系電子素子において、AlGaNの表面状態の制御は重要な課題である。そこで、AlOx薄膜の有無、成長条件の違いが、AlN/GaNヘテロ構造の発光特性に与える影響を調査した。2DEG関連の発光エネルギー、発光寿命の変化から、AlOx構造により表面状態のコントロールが可能であることを示した。酸化膜の調査と並行して、酸化ガリウムそのものの特性を調査した。また、Ag分散ZnO薄膜をGaInN系青色LED上へ堆積し表面プラズモンの効果を検討した。
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