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新規実験手法である高感度光熱変換分光法を用いて光励起キャリアの非発光緩和過程を実験的に調べ、結晶成長方向（膜厚方向）に組成（エネルギーギャップ）が変化する半導体薄膜の光吸収スペクトルを測定した。そして、厚さ方向に変化する物性パラメーターが吸収スペクトルに及ぼす影響を調べた。実験ではバッファー層の異なるカルコパイライト型太陽電池構造試料を主に用いた。その結果、得られた実験結果が、バッファー層と薄膜の界面付近の組成変動によるモデルでは説明できず、むしろ界面を通して拡散し膜内で活性化した不純物の影響によるものであることが分かった。
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