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大気圧マイクロプラズマを用いてGaNの表面改質効果を実験的に検討した。接触角をθ/2法による算出を行ったところ、プラズマ処理前では65.8°、プラズマ処理後では22.6°となり、40°以上の減少が確認された。またプラズマによる表面処理によって対象物の表面への官能基の導入や化学組成の変化が期待されるためGaNの表面処理後の化学的変化を調べるためXPSを用いてGaN表面の化学結合解析を行ったところ、GaNを形成しているN-Gaピークの増加がマイクロプラズマ処理後のサンプルより確認された。マイクロプラズマ処理による各種活性種がGaN表面へ作用したものと考えられる。
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