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重粒子線が細胞（主に水）に照射されたときの二次電子の運動のシミュレーション研究を行った。このシミュレーションでは、入射粒子線の軌道付近に生じる分子イオンが作る電場（トラックポテンシャル）の二次電子への影響を考慮した。シミュレーションによりトラックポテンシャルから脱出できる二次電子の確率をイオン衝突電離断面積の関数とした簡便式を導くことに成功した。この確率は観測値の傾向とほぼ一致した。さらに、トラックポテンシャルのこの影響を考慮した動径線量（重粒子の軌道からの距離の関数としての線量）の新しい分布の構築に成功した。この分布は入射粒子線の軌道付近で従来の分布よりも非常に大きくなる。
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