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2015 年度 実績報告書

基板吸収型超伝導トンネル接合X線検出器の開発

研究課題

研究課題/領域番号 25390142
研究機関国立研究開発法人産業技術総合研究所

研究代表者

志岐 成友  国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (50342796)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワードX線 / 検出器 / X線分光 / 超伝導検出器 / STJ / MEMS / X線吸収分光 / 蛍光X線分析
研究実績の概要

本研究は、微細加工されたSi単結晶を吸収体とする超伝導トンネル接合(STJ)検出器を開発し、高感度かつ高分解能のX線分光検出を実現することにより、X線吸収分光法に革新をもたらすことを目的としている。この目的の実現のため、STJ検出器を形成したSi基板に微細加工を施す技術の研究、およびSi基板に施す加工がSTJ検出器に与える影響の評価を行っている。本年度は最終年度であり、初年度、2年度に確立した加工方法を基に、より高いエネルギー分解能が得られると期待される構造の素子の作成を行った。
STJ検出器を産総研CRAVITYで試作した。裏面の加工はNIMS微細加工ナノテクノロジープラットフォームに依頼した。
今年度の加工においては、裏面加工の際に、メタルマスク除去後、表面に四角錐状の穴が無数に生じた。メタルマスクの材料としてアルミニウムを用いていたが、アルミニウムの除去に異常に時間がかかっており、エッチングの際にアルミニウムが化合物、たとえばシリサイドを形成している可能性がある。これを避けるため、マスクの厚さを従来の3倍としたもの、マスクの材料をクロム、MgOとしたものを試作した。マスクを厚くすること、またはMgOとしたところ、四角錐状の穴の数、大きさは減少した。しかしながら四角錐状の穴は依然残っており、設計通りの形状を実現する作成プロセスの研究が必要である。
全期間をまとめると、Si単結晶をX線吸収体とするSTJ検出器を製作した。歩留まりを高めるピクセル形状・配置を検討し、9割の歩留まりを実現した。X線検出特性は、5.9 keV にてエネルギー分解能135eV, 読出しノイズ18eVである。試作した100素子アレイを用いKEK-PF・BL-11Bにて2-4keVの微量軽元素のX線吸収分光を行い、濃度0.1%の硫黄の吸収スペクトル測定に成功した。

  • 研究成果

    (2件)

すべて 2016 2015

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (1件)

  • [雑誌論文] Development of superconducting tunnel junction X-ray detector with high absorption yields utilizing silicon pixel absorber2016

    • 著者名/発表者名
      Shigetomo Sjiki, Go Fujii, Masahiro Ukibe, Masataka Ohkubo
    • 雑誌名

      Journal of Low Temperature Physics

      巻: online-first ページ: 1-5

    • DOI

      10.1007/s10909-016-1537-5

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] Development of superconducting tunnel junction X-ray detector with high absorption yields utilizing silicon pixel absorber2015

    • 著者名/発表者名
      Shigetomo Shiki
    • 学会等名
      16th International Workshop on Low Temperature Detectors
    • 発表場所
      フランス(グルノーブル)
    • 年月日
      2015-07-20

URL: 

公開日: 2017-01-06  

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