| 研究課題/領域番号 |
25390142
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
量子ビーム科学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
志岐 成友 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (50342796)
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| 連携研究者 |
大久保 雅隆 産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 上席イノベーションコーディネーター (60356623)
浮辺 雅宏 産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, グループ長 (00344226)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 超伝導トンネル接合 / Ｘ線検出器 / エネルギー分解能 / 微細加工 / MEMS / Ｘ線吸収分光 / 微量軽元素 |
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| 研究成果の概要 |
2-4keVの軟Ｘ線領域で高感度・高エネルギー分解能を両立し微量元素のXAFS測定を目的として、超伝導トンネル接合(STJ)にピクセル化されたSi吸収体(SPA)を取り付けた新しい検出器の製造法および特性を研究した。400ミクロン厚のSi基板に100素子STJ検出器を製作し、裏面よりSi基板に深さ350ミクロンの溝をドライエッチングにより形成してSPAとした。エネルギー分解能は5.9 keV のＸ線に対して135eV FWHM、読み出しノイズは18eV FWHM であった。100素子アレイをXAFS測定に用い、ソーダガラス中の微量元素（硫黄、濃度0.1%）の吸収スペクトル測定に成功した。
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| 自由記述の分野 |
極低温検出器
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