| 研究課題/領域番号 |
25400330
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
萱沼 洋輔 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 特任教授 (80124569)
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| 研究分担者 |
中村 一隆 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (20302979)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | ブロッホ状態 / 位相干渉効果 / 外場駆動 / 位相ロック２連パルス / バンドギャップ制御 / ディラック電子 |
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| 研究実績の概要 |
[最終年度の研究成果]
バルク固体電子状態の位相ロック２連パルス制御に関しては、前年度までに室温GaAs結晶の電子・フォノン結合系位相制御に成功していたが、研究分担者らによる実験で、あらたに液体窒素温度の測定に成功した。この結果をわれわれの「入れ子２準位モデル」で解析したところ、実験データとのよい一致が得られた。ただし、たとえ不透明域励起であっても、コヒーレントフォノン生成機構としては、Impulsive Absorption機構のみならず、むしろImpulsive Stimulated Raman Scattering機構も重要な寄与をしているという新たな知見が得られた（学会発表済み）。この結果、２準位モデルをより現実に即した「２バンドモデル」に拡張する理論的課題が浮かび上がった。予備的計算結果によれば、位相緩和パラメータの不定性を減らした、より詳しい解析が可能であることを見出した。現在、最終的にほぼ完全な理論的枠組みを構築しつつある。
[研究期間全体の成果」
外場駆動によるブロッホ電子のコヒーレント制御理論を目指して研究を開始したが、初年度後期に電子・フォノン結合系のコヒーレント制御に関して実験的研究の急展開があり、その理論構築と解析に主力を注いだ。この成果は原著論文、国際会議発表、学会発表等で公表した。
一方のブロッホ電子そのものの制御理論についても、原著論文、学会発表済みである。とくに単層グラフェンにおけるディラック円錐の形態変形については、国際会議招待講演などで公表し、現在、論文執筆中である。
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