| 研究課題/領域番号 |
25400409
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
数理物理・物性基礎
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
渡辺 一之 東京理科大学, 理学部, 教授 (50221685)
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| 研究分担者 |
胡 春平 京都大学, 学内共同施設等, 研究員 (00512758)
鈴木 康光 東京理科大学, 理学部, 助教 (50756301)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 時間依存密度汎関数法 / 電子散乱と電子放出 / レーザー刺激電界蒸発 / 励起電子状態 / 電子・原子核ダイナミクス / ナノプラズモニクス |
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| 研究成果の概要 |
外場下のナノ構造電子系の励起状態（電子放射と散乱）と電界原子蒸発ダイナミクスを時間依存密度汎関数法で明らかにし、電荷移動励起状態を摂動論により求める方法を提案した。カーボンナノチューブからの電界放出電流分布像に五員環配置に由来する五回対称性と六回対称性を見出した事、二層グラフェンフレーク（GF)のプラズマ振動数を誘電関数から決定するとともに近接場増強の性質を明らかにしたこと、GFの電子散乱計算から原子の周期・局所構造を反映した電子回折像とプラズマ振動を捉えたこと、レーザー電子励起電界蒸発機構をSiクラスターを対象に、非熱的剥離機構を二層ベンゼンを対象に明らかにしたこと、が主な研究成果である。
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| 自由記述の分野 |
計算物質物理学
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