有機電界効果トランジスタ(FET)はインクジェットなどの印刷技術を適用することで直接フレキシブル基板上に安価に無駄なく作製できるため、近年次世代の環境低負荷低消費電力デバイスとして注目されている。本研究では独自に開発した強誘電性配位高分子を用いることで低電圧駆動メモリトランジスタを開発する事を目的とした。今回、新たな強誘電性配位高分子の開発とトランジスタの作製および物性評価を行い低電圧駆動メモリトランジスタの開発を実施した。その結果いくつかの新規強誘電性配位高分子の合成に成功し、その誘電性と伝導性の評価を行った。また、強誘電性配位高分子に関して新たな成膜法を開発し、FET特性の評価を行った。
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