| 研究課題/領域番号 |
25410080
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
大澤 正久 独立行政法人理化学研究所, 田原分子分光研究室, 専任研究員 (80280717)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 銅一価錯体 / 遅延蛍光 / 三重項励起状態 / 一重項励起状態 |
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| 研究概要 |
実験実施計画に基づき以下の２タイプの構造を有した銅一価錯体の合成及びその光特性に関する検討を行った。
１、四面体型四配位構造を有した銅一価錯体（従来型）について
(1) 計画に従い発光性配位子としてジホスフィン配位子、補助配位子（アニオン型）として２座チオレート配位子を組み合わせることで銅一価錯体を合成した。 (2) 量子化学計算により、この錯体の発光オリジンは「配位子→配位子 (LLCT)」であることを明らかにした。 (3) この錯体における発光寿命の温度依存性の測定結果により導かれた一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差は1000cm-1以下であり、この発光が遅延蛍光であることが示された。 これらの結果はこれまで「金属→配位子」の遷移に限られていた遅延蛍光を「配位子→配位子」の遷移をオリジンとしても達成できることを示しており、遅延蛍光性銅（I）錯体を分子設計する上で重要な知見である。
２、三配位構造を有した銅一価錯体について
(1) 量子化学計算より遅延蛍光性が示唆されていた三配位銅一価ハライド錯体について、1(2)と同様な手法でエネルギー差を見積もったところ、全ての錯体について1000cm-1以下であったことからこれら錯体の発光も遅延蛍光であることが示された。 (2) １の結果から三配位錯体へのチオレート配位子の導入を試みた。その結果、固体状態の発光量子収率が１に近い強発光性銅一価三配位錯体が得られた。この発光についても遅延蛍光と考えている。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
研究実施計画に示した2つのタイプの構造を有した発光性銅一価錯体をそれぞれ新規に合成した。双方とも高い発光効率を示すことを明らかにした。特に新規に合成した三配位銅一価チオレート錯体が、室温でほぼ量子収率100%に近い青緑色発光を示した。
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| 今後の研究の推進方策 |
上記のように発光の高効率化に関する知見が得られたので、今後三配位型錯体の合成を中心に実施する予定である。また研究実施計画に示した次段階の課題、「三配位錯体の励起状態での構造変化」についても検討も実施する計画である。
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