研究課題
基盤研究(C)
本研究では、高効率有機ELのための発光材料として熱活性型遅延蛍光を示す銅一価錯体を合成することを目的とし、その発光プロセスの検討を行った。その結果、これまで四面体構造を有した銅一価錯体において、「金属→配位子」の遷移が不可欠と考えられていた遅延蛍光を「配位子→配位子」の遷移を利用することでも達成できることを明らかにした。さらにこの手法を用いて、ほぼ量子収率100%を示す三配位銅一価錯体の合成に成功した。
遷移金属錯体光化学
