| 研究課題/領域番号 |
25410160
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
分析化学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
江坂 文孝 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 安全研究・防災支援部門・安全研究センター, 研究主幹 (40354865)
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| 研究分担者 |
山本 博之 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門・量子ビーム応用研究センター, 研究主席 (30354822)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | X線分析 / 深さ方向分析 / 光電子 / シリサイド |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、励起エネルギーを変化させるX線光電子分光（XPS）法および電子のエネルギーを変化させて取得するX線吸収分光（XAS）法による深さ方向分析について検討を行った。本法によりシリコン単結晶、シリコン単結晶上の金薄膜およびマグネシウムシリサイド単結晶の表面酸化膜の評価を行った結果、本法を用いることにより、固体表面のナノメートル領域の化学結合状態について非破壊で深さ方向の分析が可能であることが示された。
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| 自由記述の分野 |
分析化学
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